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奇才vs爵士分析
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位置:奇才vs爵士分析 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第135页 > GS880Z36AT-200
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
? NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ? , NOBL ?和
ZBT SRAM的?
? 2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
? 2.5 V或3.3 V的I / O供电
?用户可配置的管道和流通过模式
? LBO引脚的直线或交错突发模式
?引脚与2M , 4M , 8M和设备兼容
?字节写操作( 9位字节)
? 3芯片使能轻松深度扩展信号
? ZZ引脚自动断电
? JEDEC标准的100引脚TQFP封装
管道
3-1-1-1
3.3 V
2.5 V
溢流
通过
2-1-1-1
3.3 V
2.5 V
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
2.5 2.7 3.0 3.4 3.8 4.0纳秒
4.0 4.4 5.0 6.0 6.7 7.5纳秒
280
330
275
320
5.5
5.5
175
200
175
200
255
300
250
295
6.0
6.0
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190
165
190
230
270
230
265
6.5
6.5
160
180
160
180
200
230
195
225
7.0
7.0
150
170
150
170
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215
180
210
7.5
7.5
145
165
145
165
165
190
165
185
8.5
8.5
135
150
135
150
mA
mA
mA
mA
ns
ns
mA
mA
mA
mA
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
功能说明
250兆赫, 133兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
该GS880Z18 / 36AT是一个9Mbit同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS880Z18 / 36AT可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置,也就是说,除了
上升沿触发寄存器捕获输入信号,
器件集成了一个上升沿触发输出寄存器。为
读周期,流水线SRAM的输出数据暂时存储
由边缘触发的输出寄存器的访问周期中
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS880Z18 / 36AT与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
流经流水线和NBT SRAM返回到回读/写周期
时钟
地址
读/写
A
R
B
W
Q
A
C
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Q
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D
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流经
数据I / O
流水线
数据I / O
冯: 1.02 9/2002
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
?2001 ,千兆半导体公司
NOBL是赛普拉斯半导体公司的商标.. NtRAM是三星电子有限公司的注册商标.. ZBT是集成设备技术公司的商标。
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
GS880Z18AT引脚
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B1
DQ
B2
V
SS
V
DDQ
DQ
B3
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B4
FT
V
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V
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NC
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NC
NC
NC
NC
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
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5
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6
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74
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9
72
512K ×18
10
71
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顶视图
70
12
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B
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规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
LBO
A
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?2001 ,千兆半导体公司
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
GS880Z36AT引脚
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C9
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A
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1
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冯: 1.02 9/2002
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
LBO
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?2001 ,千兆半导体公司
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
100引脚TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
2
–A
17
A
18
CK
B
A
B
B
B
C
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ZZ
FT
LBO
V
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TYPE
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
I / O
I / O
I / O
I / O
In
In
In
In
In
In
描述
突发地址输入;预装爆计数器
地址输入
地址输入( X18版本)
时钟输入信号
数据输入DQ字节写入信号
A1
-DQ
A9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
B1
-DQ
B9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
C1
-DQ
C9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
D1
-DQ
D9
;低电平有效
写使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效。自解码的深度扩张
芯片使能;低电平有效。自解码的深度扩张
输出使能;低电平有效
前进/负载;突发地址计数器控制引脚
时钟输入缓冲器使能;低电平有效
无连接
字节的数据输入和输出引脚
字节B数据输入和输出引脚
字节C数据输入和输出引脚
字节D数据输入和输出引脚
掉电控制;高电平有效
管线/流过模式控制;低电平有效
线性突发顺序;低电平有效
核心供电
输出驱动器电源
冯: 1.02 9/2002
4/25
?2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
GS880Z18 / 36A NBT SRAM功能框图
DQA
DQN
FT
Q
写数据
K
注册1
D
写数据
写地址
BURST
计数器
K
注册2
SA1’
SA0’
数据一致性
读,写和
D
K
K
控制逻辑
SA1
SA0
K
写地址
注册1
MATCH
Q
A
0
-AN
LBO
K
FT
E
1
E
2
ADV
E
3
冯: 1.02 9/2002
5/25
?2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
CKE
CK
B
C
B
D
W
B
A
B
B
G
编写驱动程序
内存
ARRAY
注册2
K
检测放大器
K
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
? NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ? , NOBL ?和
ZBT SRAM的?
? 2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
? 2.5 V或3.3 V的I / O供电
?用户可配置的管道和流通过模式
? LBO引脚的直线或交错突发模式
?引脚与2M , 4M , 8M和设备兼容
?字节写操作( 9位字节)
? 3芯片使能轻松深度扩展信号
? ZZ引脚自动断电
? JEDEC标准的100引脚TQFP封装
管道
3-1-1-1
3.3 V
2.5 V
溢流
通过
2-1-1-1
3.3 V
2.5 V
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
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(x32/x36)
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-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
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165
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160
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mA
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mA
mA
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9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
功能说明
250兆赫, 133兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
该GS880Z18 / 36AT是一个9Mbit同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS880Z18 / 36AT可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置,也就是说,除了
上升沿触发寄存器捕获输入信号,
器件集成了一个上升沿触发输出寄存器。为
读周期,流水线SRAM的输出数据暂时存储
由边缘触发的输出寄存器的访问周期中
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS880Z18 / 36AT与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
流经流水线和NBT SRAM返回到回读/写周期
时钟
地址
读/写
A
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流经
数据I / O
流水线
数据I / O
冯: 1.02 9/2002
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
?2001 ,千兆半导体公司
NOBL是赛普拉斯半导体公司的商标.. NtRAM是三星电子有限公司的注册商标.. ZBT是集成设备技术公司的商标。
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
GS880Z18AT引脚
V
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规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
LBO
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GS880Z36AT引脚
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1
80
2
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3
78
4
77
5
76
6
75
7
74
8
73
9
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10
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59
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58
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28
53
29
52
30
51
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A
6
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1
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2
B
D
B
C
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V
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V
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CK
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CKE
G
ADV
NC
A
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9
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B9
DQ
B8
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B7
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V
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DQ
B6
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B3
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B1
V
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ZZ
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A1
DQ
A2
V
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DDQ
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DQ
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A9
冯: 1.02 9/2002
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
LBO
A
5
A
4
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3
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2
A
1
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0
NC
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?2001 ,千兆半导体公司
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
100引脚TQFP引脚说明
符号
A
0
, A
1
A
2
–A
17
A
18
CK
B
A
B
B
B
C
B
D
W
E
1
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2
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3
G
ADV
CKE
NC
DQ
A1
-DQ
A9
DQ
B1
-DQ
B9
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C1
-DQ
C9
DQ
D1
-DQ
D9
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
TYPE
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
I / O
I / O
I / O
I / O
In
In
In
In
In
In
描述
突发地址输入;预装爆计数器
地址输入
地址输入( X18版本)
时钟输入信号
数据输入DQ字节写入信号
A1
-DQ
A9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
B1
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;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
C1
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C9
;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
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-DQ
D9
;低电平有效
写使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效。自解码的深度扩张
芯片使能;低电平有效。自解码的深度扩张
输出使能;低电平有效
前进/负载;突发地址计数器控制引脚
时钟输入缓冲器使能;低电平有效
无连接
字节的数据输入和输出引脚
字节B数据输入和输出引脚
字节C数据输入和输出引脚
字节D数据输入和输出引脚
掉电控制;高电平有效
管线/流过模式控制;低电平有效
线性突发顺序;低电平有效
核心供电
输出驱动器电源
冯: 1.02 9/2002
4/25
?2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
GS880Z18 / 36A NBT SRAM功能框图
DQA
DQN
FT
Q
写数据
K
注册1
D
写数据
写地址
BURST
计数器
K
注册2
SA1’
SA0’
数据一致性
读,写和
D
K
K
控制逻辑
SA1
SA0
K
写地址
注册1
MATCH
Q
A
0
-AN
LBO
K
FT
E
1
E
2
ADV
E
3
冯: 1.02 9/2002
5/25
?2001 ,千兆半导体公司
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
CKE
CK
B
C
B
D
W
B
A
B
B
G
编写驱动程序
内存
ARRAY
注册2
K
检测放大器
K
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
100引脚TQFP
商用温度
工业级温度
特点
? NBT (无总线转左右)功能,允许零等待
读 - 写 - 读总线利用率;引脚完全兼容
无论流水线和流经NtRAM ? , NOBL ?和
ZBT SRAM的?
? 2.5 V或3.3 V +10 % / - 10 %,核心供电
? 2.5 V或3.3 V的I / O供电
?用户可配置的管道和流通过模式
? LBO引脚的直线或交错突发模式
?引脚与2M , 4M , 8M和设备兼容
?字节写操作( 9位字节)
? 3芯片使能轻松深度扩展信号
? ZZ引脚自动断电
? JEDEC标准的100引脚TQFP封装
管道
3-1-1-1
3.3 V
2.5 V
溢流
通过
2-1-1-1
3.3 V
2.5 V
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
t
KQ
TCYCLE
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
CURR
(x18)
CURR
(x32/x36)
-250 -225 -200 -166 -150 -133单位
2.5 2.7 3.0 3.4 3.8 4.0纳秒
4.0 4.4 5.0 6.0 6.7 7.5纳秒
280
330
275
320
5.5
5.5
175
200
175
200
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6.0
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190
165
190
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270
230
265
6.5
6.5
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180
160
180
200
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225
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7.0
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180
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7.5
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165
145
165
165
190
165
185
8.5
8.5
135
150
135
150
mA
mA
mA
mA
ns
ns
mA
mA
mA
mA
9MB流水线和流量通过
同步NBT SRAM
功能说明
250兆赫, 133兆赫
2.5 V或3.3 V V
DD
2.5 V或3.3 V的I / O
该GS880Z18 / 36AT是一个9Mbit同步静态SRAM 。
GSI的NBT SRAM的,像ZBT , NtRAM , NOBL或其他
流水线的读/双晚写或流经读/单
后期写的SRAM ,允许使用所有可用总线
带宽不再需要插入取消选择周期
当设备从切换的读写周期。
因为它是一种同步装置,地址,数据输入,并
读/写控制输入端上捕获的上升沿
输入时钟。突发顺序控制( LBO)必须连接到电源
铁路正常运行。异步输入包括
休眠模式使能( ZZ )和输出使能。输出使能
用于改写输出的同步控制
司机把RAM的输出驱动器关闭,在任何时候。
写周期是内部自定时的由上升开始
在时钟输入的边缘。这个特性消除了复杂的场外
通过异步SRAM芯片所需的写入脉冲的产生
并简化了输入信号的定时。
该GS880Z18 / 36AT可以由用户进行配置
工作在管道或流通方式。操作为
流水线同步装置,也就是说,除了
上升沿触发寄存器捕获输入信号,
器件集成了一个上升沿触发输出寄存器。为
读周期,流水线SRAM的输出数据暂时存储
由边缘触发的输出寄存器的访问周期中
然后释放到输出驱动器的下一次上升边缘
时钟。
该GS880Z18 / 36AT与GSI的实现高
高性能的CMOS技术,是在一个JEDEC-可用
标准的100引脚TQFP封装。
流经流水线和NBT SRAM返回到回读/写周期
时钟
地址
读/写
A
R
B
W
Q
A
C
R
D
B
Q
A
1/25
D
W
Q
C
D
B
E
R
D
D
Q
C
F
W
Q
E
D
D
Q
E
流经
数据I / O
流水线
数据I / O
冯: 1.02 9/2002
规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
?2001 ,千兆半导体公司
NOBL是赛普拉斯半导体公司的商标.. NtRAM是三星电子有限公司的注册商标.. ZBT是集成设备技术公司的商标。
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
GS880Z18AT引脚
V
DDQ
V
SS
NC
NC
DQ
B1
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FT
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B9
NC
V
SS
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
80
2
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3
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4
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5
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6
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21
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59
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58
24
57
25
56
26
55
27
54
28
53
29
52
30
51
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A
6
A
7
E
1
E
2
NC
NC
B
B
B
A
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3
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V
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W
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G
ADV
NC
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NC
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NC
NC
NC
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规格援引如有更改,恕不另行通知。对于最新的文档,请参见http://www.gsitechnology.com 。
LBO
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GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
GS880Z36AT引脚
DQ
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D5
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V
SS
V
DDQ
DQ
D7
DQ
D8
DQ
D9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
1
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53
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52
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51
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A
6
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冯: 1.02 9/2002
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LBO
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?2001 ,千兆半导体公司
GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
100引脚TQFP引脚说明
符号
A
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, A
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CK
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B
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TYPE
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
In
I / O
I / O
I / O
I / O
In
In
In
In
In
In
描述
突发地址输入;预装爆计数器
地址输入
地址输入( X18版本)
时钟输入信号
数据输入DQ字节写入信号
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;低电平有效
数据输入DQ字节写入信号
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写使能;低电平有效
芯片使能;低电平有效
芯片使能;高电平有效。自解码的深度扩张
芯片使能;低电平有效。自解码的深度扩张
输出使能;低电平有效
前进/负载;突发地址计数器控制引脚
时钟输入缓冲器使能;低电平有效
无连接
字节的数据输入和输出引脚
字节B数据输入和输出引脚
字节C数据输入和输出引脚
字节D数据输入和输出引脚
掉电控制;高电平有效
管线/流过模式控制;低电平有效
线性突发顺序;低电平有效
核心供电
输出驱动器电源
冯: 1.02 9/2002
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?2001 ,千兆半导体公司
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GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
GS880Z18 / 36A NBT SRAM功能框图
DQA
DQN
FT
Q
写数据
K
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D
写数据
写地址
BURST
计数器
K
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SA1’
SA0’
数据一致性
读,写和
D
K
K
控制逻辑
SA1
SA0
K
写地址
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Q
A
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LBO
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E
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冯: 1.02 9/2002
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?2001 ,千兆半导体公司
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CKE
CK
B
C
B
D
W
B
A
B
B
G
编写驱动程序
内存
ARRAY
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K
检测放大器
K
查看更多GS880Z36AT-200PDF信息
推荐型号
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型号
厂家
批号
数量
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单价/备注
操作
    QQ: QQ:1620469633 QQ:1424858250 QQ: QQ:872205500
    电话:755-82566964 0755-82711972
    联系人:朱
    地址:深圳市福田区振兴路109号华康大厦2栋213室

    GS880Z36AT-200
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: QQ:1506719106 QQ: QQ:1102186603 QQ: QQ: QQ:2649280608
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    联系人:钱先生/吴小姐/朱先生(电子元器件优质供应商)
    地址:福田区华强北中航路世纪汇都会轩2413室{专业高端进口电子元件供应商)

    GS880Z36AT-200
    -
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    -
    终端采购配单精选

    QQ: QQ:1961188646 QQ:2580480828 QQ:2624016688 QQ:2903635775
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    联系人:朱先生谭小姐
    地址:深圳市福田区华强北华强电子世界三店2A051/振兴路西101号华康大厦2栋5楼515室

    GS880Z36AT-200
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    -
    终端采购配单精选

QQ: QQ:5645336
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
GS880Z36AT-200
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9348
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: QQ:779830853 QQ:1240672790 QQ:844930150 QQ:1135087522
电话:25320933/25320966
联系人:郑S/姚S/张S/柯S
地址:深圳市福田区?;?9号京海11J
GS880Z36AT-200
14+/13+
4388
原装进口正品公司现货
QQ: QQ:3060778707 QQ:1942797928
电话:0755-33138812/18928479479
联系人:李先生/吴小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区101栋第五层510室
GS880Z36AT-200
GSI
17+
6800
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原装正品,自己现货
QQ: QQ:2881479203 QQ:2881479205
电话:0755-23610620/23964265
联系人:雷先生/李小姐
地址:深圳市福田区赛格广场29楼2905B
GS880Z36AT-200
GSI
19+
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