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奇才vs爵士分析
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位置:奇才vs爵士分析 > IC型号导航 > 首字符G型号页 > 首字符G的型号第135页 > GT28F400B3TA110
E
n
n
n
n
初步
智能3高级启动块
4-, 8-,16- , 32兆位
闪存系列
28F400B3 , 28F800B3 , 28F160B3 , 28F320B3
28F008B3 , 28F016B3 , 28F032B3
柔性SmartVoltage技术
?
2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除
?
12 V V
PP
快速生产
程序设计
2.7 V或1.65 V的I / O选项
?
降低整体系统功耗
高性能
?
2.7 V - 3.6 V : 90 ns的最大访问时间
?
3.0 V- 3.6 V : 80 ns的最大访问时间
优化的块大小
?
8个8 ??KB的块数据,
顶部或底部位置
?
达六十三个64 -KB的块
CODE
块锁定
?
V
CC
通过WP # -Level控制
低功耗
?
10毫安典型读取电流
绝对的硬件?;?/div>
?
V
PP
= GND选项
?
V
CC
锁定电压
扩展温度操作
?
-40 ° C至+85°C
n
闪存数据集成软件
?
闪存管理器
?
系统中断管理器
?
支持参数存储,
流媒体数据(例如,语音)
自动编程和块擦除
?
状态寄存器
扩展循环能力
?
最低100000块擦除
循环保证
自动省电功能
?
典型的我
CCS
公交车不活动后
标准表面贴装包装
?
48-Ball
μBGA *
?
48引脚TSOP封装
?
40引脚TSOP封装
足迹升级
?
升级为4位,8位,16位和32位
兆位密度
ETOX ? VI ( 0.25
μ)
闪存技术
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
智能3高级启动块, Intel最新的0.25 μ技术制造的,代表了一种功能 -
在整体的系统成本更低丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压能力
( 2.7 V的读取,编程和擦除)具有高速,低功耗运行。几个新的功能已经
增加了,包括用于驱动所述的I / O的能力,在1.65伏,显著降低了系统的有功功率和
接口为1.65 V控制器。一种新的分块机制允许代码和数据存储在一个单一的
装置。再加上英特尔开发的闪存数据集成( FDI)的软件,并且你有一个符合成本效益的,
单片代码和数据存储解决方案。智能3高级启动块产品将提供40?
铅和48引脚TSOP和48球μBGA *包。该产品系列的更多信息可
http://www.intel.com/design/flash :通过访问英特尔的WWW页面获得。
1998年7月
订单号: 290580-005
本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证,明示或暗示,禁止反言或
否则,任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供
出售此类产品,英特尔概不承担任何责任,英特尔公司不对任何明示或暗示的担保,以
英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证,或
侵犯任何专利,版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗,生活中使用
拯救或延长生命的应用。
英特尔可能随时更改规格和产品说明,在任何时候,恕不另行通知。
该28F400B3 , 28F800 / 008B3 , 28F160 / 016B3 , 38F320 / 032B3可能包含设计缺陷或错误勘误表了解到哪些
可能导致产品与已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。
请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商,以获取最新的规格和订购产品之前。
哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本,可能是
从获得的:
英特尔公司
P.O.箱5937
丹佛,科罗拉多80217-9808
或致电1-800-548-4725
或访问英特尔网站http://www.intel.com
版权所有?英特尔公司1996年, 1997,1998
*
第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产
CG-041493
E
页面
1.0简介............................................. 5
1.1智能3高级启动块闪存
记忆增强.............................. 5
1.2产品概述......................................... 6
2.0产品说明.............................. 6
2.1包装插脚引线.......................................... 6
2.2块组织..................................... 11
2.2.1参数块................................ 11
2.2.2主要???........................................ 11
操作3.0原理..................... 11
3.1总线操作............................................ 12
3.1.1读.............................................. ...... 13
3.1.2输出禁止..................................... 13
3.1.3待机.............................................. 0.13
3.1.4深度掉电/复位.................. 13
3.1.5写.............................................. ...... 13
操作.................................... 14 3.2模式
3.2.1读阵列.......................................... 14
3.2.2读取识别..................................... 15
3.2.3读状态寄存器.......................... 16
3.2.4编程模式..................................... 16
3.2.5擦除模式......................................... 17
3.3块锁定............................................. 20
3.3.1 WP # = V
IL
对于块锁定................ 20
3.3.2 WP # = V
IH
座解锁............ 20
3.4 V
PP
编程和擦除电压.............. 20
3.4.1 V
PP
= V
IL
为完整的?;?...... 20
智能3高级启动块
目录
页面
3.5功耗................................... 20
3.5.1有功功率....................................... 21
3.5.2自动省电( APS ) ......... 21
3.5.3备用电源.................................... 21
3.5.4深度掉电模式..................... 21
3.6电/缩小操作......................... 21
3.6.1 RP #连接到系统复位........ 21
3.6.2 V
CC
, V
PP
和RP #转换............. 21
3.7电源去耦.......................... 22
4.0电气特性.................. 23
4.1绝对最大额定值........................ 23
4.2工作条件.................................. 24
4.3电容............................................... 24
4.4直流特性..................................... 25
4.5交流特性读取操作....... 28
4.6交流特性 - 写操作........ 30
4.7编程和擦除时序....................... 31
5.0复位操作.................................. 33
6.0订购信息.......................... 34
7.0其他信息....................... 36
附录A :写状态机
当前/下一个国家..................................... 37
附录B :访问时间 -
容性负载........................................... 38
附录C :建筑结构图...... 39
附录D :字宽存储器映射
Diagrams......................................................40
附录E :字节宽度的存储器映射
Diagrams......................................................43
附录F :编程和擦除流程图0.45
初步
3
智能3高级启动块
E
描述
修订历史
-001
-002
蓝本
第3.4节,
V
PP
编程和擦除电压,
额外
更新图9 :
自动块擦除流程图
更新图10 :
擦除挂起/恢复流程
(添加程序表)
更新图16 :
AC波形:编程和擦除操作
(更新注意事项)
I
PPR
从± 25最大规格变更
μA
±50
μA
编程和擦除挂起延迟规格变更
更新附录A :
订购信息
(包括8 M和4M的信息)
更新图,附录D :
体系结构框图
(块的信息。在不言
字节)
轻微的措辞变化
结合字节宽规格(以前290605 )本文件
提高速度规格,以80纳秒( 3.0 V)和90纳秒( 2.7 V )
提高了1.8 VI / O选项,以最低1.65 V ( 3.4节)
改进的几个直流特性( 4.4节)
改进的几个AC特性(第4.5和4.6 )
结合2.7 V和1.8 V直流特性( 4.4节)
加入5 V V
PP
读取规格( 3.4节)
除去120纳秒至150纳秒的速度发行
移动
订购信息
从附录第6.0节;最新信息
移动
附加信息
从附录第7.0节
更新图附录B ,
访问时间 - 容性负载
更新图附录C ,
体系结构框图
移动编程和擦除流程图附录E.
更新
程序流程图
更新
程序挂起/恢复流程
整个次要的文字编辑。
增加了32兆位密度
加入98H为一个保留命令(表4)
A
1
–A
20
= 0时读取识别模式(第3.2.2节)
状态寄存器的澄清SR3 (表7 )
V
CC
和V
CCQ
绝对最大规格= 3.7 V( 4.1节)
结合我
PPW
CCW
在一个规范(第4.4节)
结合我
PPE
CCE
在一个规范(第4.4节)
最大参数块擦除时间(t
WHQV2
/t
EHQV2
)减少到4秒( 4.7节)
最大主块擦除时间(t
WHQV3
/t
EHQV3
)减少到5秒( 4.7节)
擦除挂起时间@ 12 V (T
WHRH2
/t
EHRH2
)更改为5微秒典型和20微秒
最大( 4.7节)
订购信息
更新(第6.0节)
写状态机当前/下一个状态表更新(附录A )
程序挂起/恢复流程更新(附录F )
擦除挂起/恢复流程更新(附录F )
文字说明整个
μBGA
校正的包图(图3和4)
I
PPD
测试条件校正(第4.4节)
修正32 - Mbit的订购信息(第6章)
μBGA
补充包顶部标记信息(第6章)
-003
-004
-005
4
初步
E
1.0
智能3高级启动块
介绍
1.1
智能3高级启动块
闪存增强
该数据表包含了规格为
高级启动区块快闪记忆体系列,这是
低功耗,便携式系统进行了优化。这
系列产品拥有1.65 V - 2.5 V或2.7 V -
3.6 V的I / O和低V
CC
/V
PP
经营范围
2.7 V - 3.6 V的读取,编程和擦除
操作。此外,该系列能够快速
12五,编程整篇文档中,
术语“ 2.7 V ”指的是全电压范围
2.7 V - 3.6 V (除非另有说明),并
“V
PP
= 12 V “指的是12伏±5%。第1.0节和
2.0提供的闪速存储器系列的概述
包括应用程序,引脚和引脚说明。
第3.0节描述了记忆的组织和
操作这些产品。部分4.0和5.0
包含的操作规范。最后,
部分6.0和7.0提供订货等
参考信息。
智能3高级启动区块快闪记忆体
特点
?
?
?
增强的阻挡用于容易分割
代码和数据或附加的设计灵活性
程序挂起读取命令
V
CCQ
1.65 V- 2.5 V的所有I / O输入???/div>
图1至图4的引脚排列图和
V
CCQ
位置
最高纲领和擦除时间规范
对于改进的数据存储。
?
表1.智能3高级启动块功能摘要
特征
V
CC
读取电压
V
CCQ
I / O电压
V
PP
编程/擦除电压
总线宽度
速度
内存布局
28F008B3 , 28F016B3 ,
28F032B3
(1)
28F400B3
(2),
28F800B3,
28F160B3 , 28F320B3
参考
第4.2节, 4.4
第4.2节, 4.4
第4.2节, 4.4
表3
第4.5节
第2.2节
2.7 V– 3.6 V
1.65 V - 2.5 V或2.7 V - 3.6 V
2.7 V- 3.6 V或11.4 V- 12.6 V
8-bit
16位
80纳秒, 90纳秒,为100 ns , 110 ns的
1024千位×8 ( 8兆比特) ,
2048千位×8 ( 16兆) ,
4096千位×8 ( 32兆位)
256千×16 ( 4兆位)
512千位×16 ( 8兆比特) ,
1024千位×16 ( 16兆位)
2048千位×16 ( 32兆)
阻塞(顶部或底部)
8个8??字节的参数块
七64千字节块( 4兆位)或
十五个64字节块( 8兆位)或
三十一64 KB的主块( 16兆位)
六十三的64 KB的主块( 32兆位)
WP #锁定/解锁参数块
使用V所有其他块?;?/div>
PP
扩展: -40
°C
+85
°C
100,000次
40引脚TSOP
(1)
, 48球
μBGA *
CSP
(2)
48引脚TSOP , 48球
μBGA
CSP
(2)
第2.2节
附录D
锁定
工作温度
编程/擦除循环
套餐
第3.3节
表8
第4.2节, 4.4
第4.2节, 4.4
图3,图4
注意事项:
1.
在40引脚TSOP不可用4 Mbit与32 Mbit的密度。
2.
在没有可用的4兆位密度
μBGA *
CSP 。
初步
5
E
n
n
n
n
初步
智能3高级启动块
4-, 8-,16- , 32兆位
闪存系列
28F400B3 , 28F800B3 , 28F160B3 , 28F320B3
28F008B3 , 28F016B3 , 28F032B3
柔性SmartVoltage技术
?
2.7 V - 3.6 V读/编程/擦除
?
12 V V
PP
快速生产
程序设计
2.7 V或1.65 V的I / O选项
?
降低整体系统功耗
高性能
?
2.7 V - 3.6 V : 90 ns的最大访问时间
?
3.0 V- 3.6 V : 80 ns的最大访问时间
优化的块大小
?
8个8 ??KB的块数据,
顶部或底部位置
?
达六十三个64 -KB的块
CODE
块锁定
?
V
CC
通过WP # -Level控制
低功耗
?
10毫安典型读取电流
绝对的硬件?;?/div>
?
V
PP
= GND选项
?
V
CC
锁定电压
扩展温度操作
?
-40 ° C至+85°C
n
闪存数据集成软件
?
闪存管理器
?
系统中断管理器
?
支持参数存储,
流媒体数据(例如,语音)
自动编程和块擦除
?
状态寄存器
扩展循环能力
?
最低100000块擦除
循环保证
自动省电功能
?
典型的我
CCS
公交车不活动后
标准表面贴装包装
?
48-Ball
μBGA *
?
48引脚TSOP封装
?
40引脚TSOP封装
足迹升级
?
升级为4位,8位,16位和32位
兆位密度
ETOX ? VI ( 0.25
μ)
闪存技术
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
智能3高级启动块, Intel最新的0.25 μ技术制造的,代表了一种功能 -
在整体的系统成本更低丰富的解决方案。 3智能闪存器件集成低电压能力
( 2.7 V的读取,编程和擦除)具有高速,低功耗运行。几个新的功能已经
增加了,包括用于驱动所述的I / O的能力,在1.65伏,显著降低了系统的有功功率和
接口为1.65 V控制器。一种新的分块机制允许代码和数据存储在一个单一的
装置。再加上英特尔开发的闪存数据集成( FDI)的软件,并且你有一个符合成本效益的,
单片代码和数据存储解决方案。智能3高级启动块产品将提供40?
铅和48引脚TSOP和48球μBGA *包。该产品系列的更多信息可
http://www.intel.com/design/flash :通过访问英特尔的WWW页面获得。
1998年7月
订单号: 290580-005
本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证,明示或暗示,禁止反言或
否则,任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供
出售此类产品,英特尔概不承担任何责任,英特尔公司不对任何明示或暗示的担保,以
英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证,或
侵犯任何专利,版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗,生活中使用
拯救或延长生命的应用。
英特尔可能随时更改规格和产品说明,在任何时候,恕不另行通知。
该28F400B3 , 28F800 / 008B3 , 28F160 / 016B3 , 38F320 / 032B3可能包含设计缺陷或错误勘误表了解到哪些
可能导致产品与已出版的规格有所差异。最新的勘误表备索。
请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商,以获取最新的规格和订购产品之前。
哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本,可能是
从获得的:
英特尔公司
P.O.箱5937
丹佛,科罗拉多80217-9808
或致电1-800-548-4725
或访问英特尔网站http://www.intel.com
版权所有?英特尔公司1996年, 1997,1998
*
第三方的品牌和名称均为其各自所有者的财产
CG-041493
E
页面
1.0简介............................................. 5
1.1智能3高级启动块闪存
记忆增强.............................. 5
1.2产品概述......................................... 6
2.0产品说明.............................. 6
2.1包装插脚引线.......................................... 6
2.2块组织..................................... 11
2.2.1参数块................................ 11
2.2.2主要???........................................ 11
操作3.0原理..................... 11
3.1总线操作............................................ 12
3.1.1读.............................................. ...... 13
3.1.2输出禁止..................................... 13
3.1.3待机.............................................. 0.13
3.1.4深度掉电/复位.................. 13
3.1.5写.............................................. ...... 13
操作.................................... 14 3.2模式
3.2.1读阵列.......................................... 14
3.2.2读取识别..................................... 15
3.2.3读状态寄存器.......................... 16
3.2.4编程模式..................................... 16
3.2.5擦除模式......................................... 17
3.3块锁定............................................. 20
3.3.1 WP # = V
IL
对于块锁定................ 20
3.3.2 WP # = V
IH
座解锁............ 20
3.4 V
PP
编程和擦除电压.............. 20
3.4.1 V
PP
= V
IL
为完整的?;?...... 20
智能3高级启动块
目录
页面
3.5功耗................................... 20
3.5.1有功功率....................................... 21
3.5.2自动省电( APS ) ......... 21
3.5.3备用电源.................................... 21
3.5.4深度掉电模式..................... 21
3.6电/缩小操作......................... 21
3.6.1 RP #连接到系统复位........ 21
3.6.2 V
CC
, V
PP
和RP #转换............. 21
3.7电源去耦.......................... 22
4.0电气特性.................. 23
4.1绝对最大额定值........................ 23
4.2工作条件.................................. 24
4.3电容............................................... 24
4.4直流特性..................................... 25
4.5交流特性读取操作....... 28
4.6交流特性 - 写操作........ 30
4.7编程和擦除时序....................... 31
5.0复位操作.................................. 33
6.0订购信息.......................... 34
7.0其他信息....................... 36
附录A :写状态机
当前/下一个国家..................................... 37
附录B :访问时间 -
容性负载........................................... 38
附录C :建筑结构图...... 39
附录D :字宽存储器映射
Diagrams......................................................40
附录E :字节宽度的存储器映射
Diagrams......................................................43
附录F :编程和擦除流程图0.45
初步
3
智能3高级启动块
E
描述
修订历史
-001
-002
蓝本
第3.4节,
V
PP
编程和擦除电压,
额外
更新图9 :
自动块擦除流程图
更新图10 :
擦除挂起/恢复流程
(添加程序表)
更新图16 :
AC波形:编程和擦除操作
(更新注意事项)
I
PPR
从± 25最大规格变更
μA
±50
μA
编程和擦除挂起延迟规格变更
更新附录A :
订购信息
(包括8 M和4M的信息)
更新图,附录D :
体系结构框图
(块的信息。在不言
字节)
轻微的措辞变化
结合字节宽规格(以前290605 )本文件
提高速度规格,以80纳秒( 3.0 V)和90纳秒( 2.7 V )
提高了1.8 VI / O选项,以最低1.65 V ( 3.4节)
改进的几个直流特性( 4.4节)
改进的几个AC特性(第4.5和4.6 )
结合2.7 V和1.8 V直流特性( 4.4节)
加入5 V V
PP
读取规格( 3.4节)
除去120纳秒至150纳秒的速度发行
移动
订购信息
从附录第6.0节;最新信息
移动
附加信息
从附录第7.0节
更新图附录B ,
访问时间 - 容性负载
更新图附录C ,
体系结构框图
移动编程和擦除流程图附录E.
更新
程序流程图
更新
程序挂起/恢复流程
整个次要的文字编辑。
增加了32兆位密度
加入98H为一个保留命令(表4)
A
1
–A
20
= 0时读取识别模式(第3.2.2节)
状态寄存器的澄清SR3 (表7 )
V
CC
和V
CCQ
绝对最大规格= 3.7 V( 4.1节)
结合我
PPW
CCW
在一个规范(第4.4节)
结合我
PPE
CCE
在一个规范(第4.4节)
最大参数块擦除时间(t
WHQV2
/t
EHQV2
)减少到4秒( 4.7节)
最大主块擦除时间(t
WHQV3
/t
EHQV3
)减少到5秒( 4.7节)
擦除挂起时间@ 12 V (T
WHRH2
/t
EHRH2
)更改为5微秒典型和20微秒
最大( 4.7节)
订购信息
更新(第6.0节)
写状态机当前/下一个状态表更新(附录A )
程序挂起/恢复流程更新(附录F )
擦除挂起/恢复流程更新(附录F )
文字说明整个
μBGA
校正的包图(图3和4)
I
PPD
测试条件校正(第4.4节)
修正32 - Mbit的订购信息(第6章)
μBGA
补充包顶部标记信息(第6章)
-003
-004
-005
4
初步
E
1.0
智能3高级启动块
介绍
1.1
智能3高级启动块
闪存增强
该数据表包含了规格为
高级启动区块快闪记忆体系列,这是
低功耗,便携式系统进行了优化。这
系列产品拥有1.65 V - 2.5 V或2.7 V -
3.6 V的I / O和低V
CC
/V
PP
经营范围
2.7 V - 3.6 V的读取,编程和擦除
操作。此外,该系列能够快速
12五,编程整篇文档中,
术语“ 2.7 V ”指的是全电压范围
2.7 V - 3.6 V (除非另有说明),并
“V
PP
= 12 V “指的是12伏±5%。第1.0节和
2.0提供的闪速存储器系列的概述
包括应用程序,引脚和引脚说明。
第3.0节描述了记忆的组织和
操作这些产品。部分4.0和5.0
包含的操作规范。最后,
部分6.0和7.0提供订货等
参考信息。
智能3高级启动区块快闪记忆体
特点
?
?
?
增强的阻挡用于容易分割
代码和数据或附加的设计灵活性
程序挂起读取命令
V
CCQ
1.65 V- 2.5 V的所有I / O输入???/div>
图1至图4的引脚排列图和
V
CCQ
位置
最高纲领和擦除时间规范
对于改进的数据存储。
?
表1.智能3高级启动块功能摘要
特征
V
CC
读取电压
V
CCQ
I / O电压
V
PP
编程/擦除电压
总线宽度
速度
内存布局
28F008B3 , 28F016B3 ,
28F032B3
(1)
28F400B3
(2),
28F800B3,
28F160B3 , 28F320B3
参考
第4.2节, 4.4
第4.2节, 4.4
第4.2节, 4.4
表3
第4.5节
第2.2节
2.7 V– 3.6 V
1.65 V - 2.5 V或2.7 V - 3.6 V
2.7 V- 3.6 V或11.4 V- 12.6 V
8-bit
16位
80纳秒, 90纳秒,为100 ns , 110 ns的
1024千位×8 ( 8兆比特) ,
2048千位×8 ( 16兆) ,
4096千位×8 ( 32兆位)
256千×16 ( 4兆位)
512千位×16 ( 8兆比特) ,
1024千位×16 ( 16兆位)
2048千位×16 ( 32兆)
阻塞(顶部或底部)
8个8??字节的参数块
七64千字节块( 4兆位)或
十五个64字节块( 8兆位)或
三十一64 KB的主块( 16兆位)
六十三的64 KB的主块( 32兆位)
WP #锁定/解锁参数块
使用V所有其他块?;?/div>
PP
扩展: -40
°C
+85
°C
100,000次
40引脚TSOP
(1)
, 48球
μBGA *
CSP
(2)
48引脚TSOP , 48球
μBGA
CSP
(2)
第2.2节
附录D
锁定
工作温度
编程/擦除循环
套餐
第3.3节
表8
第4.2节, 4.4
第4.2节, 4.4
图3,图4
注意事项:
1.
在40引脚TSOP不可用4 Mbit与32 Mbit的密度。
2.
在没有可用的4兆位密度
μBGA *
CSP 。
初步
5
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